Samsung lại phải hầu tòa vì vi phạm bằng sáng chế công nghệ FinFET ?

Vụ kiện lần này có liên quan đến Tập đoàn lớn nhất Hàn Quốc – Samsung vì vi phạm bằng sáng chế được cho là có liên quan đến công nghệ FinFET. Đây là công nghệ mà Samsung rất đỗi tự hào trong vài tháng qua và rất giống với những gì mà Qualcomm trang bị cho vi xử lý Snapdragon 835 của mình.

Theo các phương tiện truyền thông Hàn Quốc, Viện nghiên cứu Khoa học và công nghệ tiên tiến của Hàn Quốc (KAIST) có trụ sở tại Mỹ đã lên kế hoạch kiện Samsung về việc vi phạm bằng sáng chế công nghệ FinFET.

KAIST cho rằng chính mình đã phát triển công nghệ FinFET 10nm và mặc dù Samsung hiện đang sử dụng thiết bị vi xử lý cao cấp nhất của Qualcomm, nhưng thực tế Samsung đã đánh cắp công nghệ này.

Việc “đánh cắp” một phần công nghệ này diễn ra sau khi Samsung mời nhà phát triển FinFET – giáo sư Lee Jong-ho thuộc Đại học Quốc gia Seoul – một trong những đối tác của KAIST, hiện các kỹ sư của Samsung đang làm việc trên công nghệ này.

Ủng hộ việc làm này của KAIST, Intel cũng nhận là tác giả thực sự của công nghệ FinFET và cam kết là đã có giấy phép sử dụng công nghệ này, trong khi Samsung vẫn chưa bằng sở hữu công nghệ này. Sau Samsung, KAIST cũng nhắm đến các công ty khác để kiện vì vi phạm công nghệ của mình, bao gồm Qualcomm và TSMC.

Từ nhiều năm trước, các nhà sản xuất bán dẫn bắt đầu đưa công nghệ bán dẫn 3-D hay còn gọi là FinFET (FET - Field-Effect Transistors: bán dẫn hiệu ứng trường) vào quy trình thiết kế chip của họ, đưa công nghệ này tới quy mô đại trà.

Hoàng Thanh (theo Phonearena)