Điện tích rò rỉ từ các bóng bán dẫn trên DRAM có thể bị lợi dụng thành công cụ tấn công
Các chuyên gia bảo mật tại phòng nghiên cứu Project Zero (sáng kiến bảo mật của Google) vừa tiết lộ một kỹ thuật tấn công với tên gọi là Rowhammer. Theo đó, các hacker có thể lợi dụng lượng điện tích rò rỉ từ các bóng bán dẫn trên bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên (DRAM) nhằm phá hoại dữ liệu hoặc thậm chí là chiếm quyền điều khiển máy tính của nạn nhân.
Nguồn Tinh Tế: http://www.tinhte.vn/threads/dien-tich-ro-ri-tu-cac-bong-ban-dan-tren-dram-co-the-bi-loi-dung-thanh-cong-cu-tan-cong.2435228/
